创新钻进牛角尖 这些手机很难走出小众的怪圈

此外，创新出界面对离子传输的影响也有所增加。

材料牛网专注于跟踪材料领域科技及行业进展，钻进众欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投稿邮箱[email protected]。研究人员首先将多晶铜箔进行温和预氧化，牛角难走随后在还原性气氛中进行退火处理，最终导致了整张箔水平的高指数晶面生长。

对于金属来说，尖机低指数晶面仅有三种({100},{110}and{111})，而与此相比，高指数晶面则有无限种，因此具有更加丰富的表面和性能。研究表明，些手铜箔上的氧化表面层的出现意味着表面能最小化并不是晶面选择生长的关键因素，些手相反地，可消耗较小晶粒并消除晶界的大尺寸晶粒晶面决定了晶面的生长。【成果简介】韩国蔚山科学技术院的丁峰、怪圈南方科技大学的俞大鹏院士以及北京大学的王恩哥院士、怪圈刘开辉研究员（共同通讯作者）等人报道了一种制备多种单晶铜箔的晶种生长技术。

2020年05月27日，创新出相关成果以题为Seededgrowthoflargesingle-crystalcopperfoilswithhigh-indexfacets的文章在线发表在Nature上然而，钻进众不管是热力学还是动力学角度金属都更倾向于形成低指数晶面，因此可控制备高指数晶面的单晶金属箔是一个巨大的挑战。

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研究人员首先将多晶铜箔进行温和预氧化，尖机随后在还原性气氛中进行退火处理，最终导致了整张箔水平的高指数晶面生长。些手（f）Fe（100）和LiF之间电子差分密度图。

【小结】本文通过表征SEI的结构和物理化学演变，怪圈首次揭示了C@Fe3C/Fe负极高容量的原因。以往研究人员推断，创新出Fe3C/Fe复合电极的高容量源于Fe3C催化SEI的可逆形成和分解，但SEI内部可逆转换机理至今仍不明确。

因此，钻进众作者通过研究核-壳C@Fe3C/Fe负极表面SEI的结构和物理化学演变过程，揭示了Fe3C电极高容量的根源。【图文导读】图1核-壳C@Fe3C/Fe纳米颗粒的结构表征（a，牛角难走b）不同的角度的Fe3C晶体结构示意图。